MJE180G

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MJE180G概述

ON SEMICONDUCTOR  MJE180G  双极晶体管

- 双极 BJT - 单 NPN 50MHz 通孔 TO-225AA


得捷:
TRANS NPN 40V 3A TO126


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MJE180G


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 3A 40V 12.5W NPN


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双极晶体管


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Trans GP BJT NPN 40V 3A 12500mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


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Trans GP BJT NPN 40V 3A 3-Pin3+Tab TO-225 Box


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Trans GP BJT NPN 40V 3A 3-Pin3+Tab TO-225 Box


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Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MJE180G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 40 V, 50 MHz, 12.5 W, 3 A, 50 hFE


MJE180G中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

额定电压DC 40.0 V

额定电流 3.00 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 12.5 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 50 @100mA, 1V

额定功率Max 1.5 W

直流电流增益hFE 50

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 12500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 7.74 mm

宽度 2.66 mm

高度 11.04 mm

封装 TO-126-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJE180G
型号: MJE180G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MJE180G  双极晶体管
替代型号MJE180G
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ON Semiconductor 安森美

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