ON SEMICONDUCTOR MJE180G 双极晶体管
- 双极 BJT - 单 NPN 50MHz 通孔 TO-225AA
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TRANS NPN 40V 3A TO126
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MJE180G
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双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 3A 40V 12.5W NPN
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双极晶体管
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Trans GP BJT NPN 40V 3A 12500mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box
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# ON SEMICONDUCTOR MJE180G Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 40 V, 50 MHz, 12.5 W, 3 A, 50 hFE
频率 50 MHz
额定电压DC 40.0 V
额定电流 3.00 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 12.5 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 50 @100mA, 1V
额定功率Max 1.5 W
直流电流增益hFE 50
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 12500 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
长度 7.74 mm
宽度 2.66 mm
高度 11.04 mm
封装 TO-126-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2016/06/20
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MJE180G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJE180 安森美 | 完全替代 | MJE180G和MJE180的区别 |
MJE180STU 安森美 | 类似代替 | MJE180G和MJE180STU的区别 |
MJE180PWD 飞兆/仙童 | 类似代替 | MJE180G和MJE180PWD的区别 |