高电流表面贴装PNP硅开关晶体管，用于便携式应用负荷管理 High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -55V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -35V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -2A 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 100MHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 100~400 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | -0.31V/310MV 耗散功率Pc Power dissipation | 0.625W/625MW 描述与应用 Description & Applications | 高电流表面 山PNP型硅 开关的 负载管理 便携式应用程序
额定电压DC -35.0 V
额定电流 -2.00 A
极性 PNP
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 35 V
集电极最大允许电流 2A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP-6
长度 3 mm
宽度 1.5 mm
高度 0.94 mm
封装 TSOP-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541290075
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MBT35200MT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MBT35200MT1G 安森美 | 类似代替 | MBT35200MT1和MBT35200MT1G的区别 |
PBSS5350D,115 恩智浦 | 功能相似 | MBT35200MT1和PBSS5350D,115的区别 |