对比图
型号 MBT35200MT1 MBT35200MT1G PBSS5350D
描述 高电流表面贴装PNP硅开关晶体管，用于便携式应用负荷管理 High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable ApplicationsPNP 晶体管，超过 1A，On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管NXP PBSS5350D 单晶体管 双极, PNP, 50 V, 600 mW, 3 A, 200 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 6 6 6
封装 TSOP-6 SOT-23-6 SOT-457
额定电压(DC) -35.0 V -35.0 V -
额定电流 -2.00 A -2.00 A -
极性 PNP PNP, P-Channel PNP
耗散功率 625 mW 625 mW 600 mW
击穿电压(集电极-发射极) 35 V 35 V 50 V
集电极最大允许电流 2A 2A 3A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
针脚数 - - 6
直流电流增益(hFE) - 100 200
频率 - 100 MHz -
无卤素状态 - Halogen Free -
增益频宽积 - 100 MHz -
最小电流放大倍数(hFE) - 100 @1.5A, 1.5V -
额定功率(Max) - 625 mW -
耗散功率(Max) - 1000 mW -
长度 3 mm 3.1 mm -
宽度 1.5 mm 1.7 mm -
高度 0.94 mm 1 mm -
封装 TSOP-6 SOT-23-6 SOT-457
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
材质 - Silicon -
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
HTS代码 8541290075 - -