ON SEMICONDUCTOR MJ11012G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 200 W, 30 A, 1000 hFE
NPN 复合，On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
### ，On Semiconductor
的各种双极晶体管，包括以下类别：
小信号晶体管
功率晶体管
双晶体管
复合晶体管对
高电压晶体管
射频晶体管
双极/FET 晶体管
额定电压DC 60.0 V
额定电流 30.0 A
输出电压 60 V
输出电流 30 A
针脚数 2
极性 NPN
耗散功率 200 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 30A
最小电流放大倍数hFE 1000 @20A, 5V
额定功率Max 200 W
直流电流增益hFE 1000
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 4MHz Min
耗散功率Max 200000 mW
输入电压 5 V
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-204-2
长度 39.37 mm
宽度 26.67 mm
高度 8.51 mm
封装 TO-204-2
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJ11012G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJ11012 安森美 | 功能相似 | MJ11012G和MJ11012的区别 |