对比图
型号 MJ11012 MJ11012G
描述 达林顿功率晶体管互补硅 DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICONON SEMICONDUCTOR MJ11012G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 200 W, 30 A, 1000 hFE
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 2
封装 TO-204-2 TO-204-2
额定电压(DC) - 60.0 V
额定电流 - 30.0 A
输出电压 - 60 V
输出电流 - 30 A
针脚数 - 2
极性 NPN NPN
耗散功率 200 W 200 W
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V
集电极最大允许电流 30A 30A
最小电流放大倍数(hFE) 1000 1000 @20A, 5V
额定功率(Max) - 200 W
直流电流增益(hFE) - 1000
工作温度(Max) 150 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
增益带宽 4MHz (Min) 4MHz (Min)
耗散功率(Max) 200000 mW 200000 mW
输入电压 - 5 V
长度 39.37 mm 39.37 mm
宽度 26.67 mm 26.67 mm
高度 8.51 mm 8.51 mm
封装 TO-204-2 TO-204-2
工作温度 - -55℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tray Tray
最小包装 100 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99