MJE4353G

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MJE4353G概述

高电压 - 高功率晶体管 High-Voltage - High Power Transistors

- 双极 BJT - 单 PNP 1MHz 通孔 SOT-93


得捷:
TRANS PNP 160V 16A SOT93


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 16A 160V 125W PNP


艾睿:
Trans GP BJT PNP 160V 16A 125000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Allied Electronics:
TRANS PNP 160V 16A TO218


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 160V 16A 3-Pin3+Tab TO-247 Rail


MJE4353G中文资料参数规格
技术参数

频率 1 MHz

额定电压DC -160 V

额定电流 -16.0 A

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 125 W

击穿电压集电极-发射极 160 V

热阻 1℃/W RθJC

集电极最大允许电流 16A

最小电流放大倍数hFE 15 @8A, 2V

额定功率Max 125 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 125000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 SOT-93-3

外形尺寸

长度 15.2 mm

宽度 4.9 mm

封装 SOT-93-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJE4353G
型号: MJE4353G
描述:高电压 - 高功率晶体管 High-Voltage - High Power Transistors
替代型号MJE4353G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJE4353G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MJE4353

安森美

完全替代

MJE4353G和MJE4353的区别

2SA1386

三垦电气

功能相似

MJE4353G和2SA1386的区别

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