对比图
描述 高？压？大功率晶体管 High?Voltage High Power Transistors高电压 - 高功率晶体管 High-Voltage - High Power Transistors
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-218-3 SOT-93-3
引脚数 - 3
额定电压(DC) -160 V -160 V
额定电流 -16.0 A -16.0 A
耗散功率 125 W 125 W
击穿电压(集电极-发射极) 160 V 160 V
最小电流放大倍数(hFE) 15 @8A, 2V 15 @8A, 2V
额定功率(Max) 125 W 125 W
频率 - 1 MHz
极性 - PNP, P-Channel
热阻 - 1℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流 - 16A
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
耗散功率(Max) - 125000 mW
针脚数 - -
直流电流增益(hFE) - -
封装 TO-218-3 SOT-93-3
长度 - 15.2 mm
宽度 - 4.9 mm
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99