MBRH12020

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MBRH12020概述

Diode Schottky 20V 120A 2Pin Case D-67

肖特基 20 V 120A 底座安装 D-67


得捷:
DIODE SCHOTTKY 20V 120A D-67


艾睿:
Diode Schottky 20V 120A 2-Pin Case D-67


Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR  MBRH12020  Diode Module, Silicon, 20 V, 120 A, 650 mV, Single


AMEYA360:
DIODE MODULE 20V 120A D-67


Electro Sonic:
Silicon Rectifier Module - Schottky Std Config - 20V - 120A - D-67 HALF PAK


MBRH12020中文资料参数规格
技术参数

正向电压 650mV @120A

正向电流 120 A

正向电压Max 650 mV

正向电流Max 120 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

封装参数

引脚数 2

封装 D-67

外形尺寸

高度 14.73 mm

封装 D-67

物理参数

工作温度 125 ℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买MBRH12020
型号: MBRH12020
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:Diode Schottky 20V 120A 2Pin Case D-67

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