MS2267

MS2267概述

Trans RF BJT NPN 60V 20A 4Pin Case M214

RF NPN 60V 20A 960MHz ~ 1.215GHz 575W 底座安装 M214


得捷:
RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ M214


贸泽:
RF Bipolar Transistors Avionics/Bipolar Transistor


艾睿:
Trans RF BJT NPN 60V 20A 4-Pin Case M214


富昌:
NPN 250 W 50 V 960 to 1215 MHz Flange Mount RF Microwave Transistor - M-214


Win Source:
TRANS RF BIPO 575W 20A M214


MS2267中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 575000 mW

击穿电压集电极-发射极 60 V

增益 8dB ~ 8.7dB

最小电流放大倍数hFE 10 @1A, 5V

额定功率Max 575 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 575000 mW

封装参数

引脚数 4

封装 M214

外形尺寸

高度 5.84 mm

封装 M214

物理参数

工作温度 250℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MS2267
型号: MS2267
描述:Trans RF BJT NPN 60V 20A 4Pin Case M214
替代型号MS2267
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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