对比图
描述 Trans RF BJT NPN 60V 20A 4Pin Case M214Trans RF BJT NPN 65V 0.013A 3Pin Case M218微波功率晶体管NPN硅 MICROWAVE POWER TRANSISTOR NPN SILICON
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) M/A-Com
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
引脚数 4 3 4
封装 M214 M218 332A-03
安装方式 - Chassis Chassis
耗散功率 575000 mW 400000 mW 290 W
击穿电压(集电极-发射极) 60 V - 70 V
增益 8dB ~ 8.7dB 8 dB 10.8 dB
最小电流放大倍数(hFE) 10 @1A, 5V - 10 @2.5A, 5V
额定功率(Max) 575 W - 90 W
工作温度(Max) 200 ℃ 250 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 575000 mW 400000 mW -
高度 5.84 mm 5.84 mm -
封装 M214 M218 332A-03
工作温度 250℃ (TJ) - -
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Bulk Bulk Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99