PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor
Bipolar BJT Transistor PNP 40V 200mA 250MHz 350mW Surface Mount SOT-23-3
得捷:
TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP EPITAXIAL SILICON
艾睿:
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
TRANS PNP 40V 0.2A SOT23
额定电压DC -40.0 V
额定电流 -200 mA
极性 PNP
耗散功率 350 mW
增益频宽积 250 MHz
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 350 mW
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBT3906K Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
KST3906MTF 飞兆/仙童 | 完全替代 | MMBT3906K和KST3906MTF的区别 |
MMBT3906 飞兆/仙童 | 类似代替 | MMBT3906K和MMBT3906的区别 |
BSR18A 飞兆/仙童 | 类似代替 | MMBT3906K和BSR18A的区别 |