MMBT3906和MMBT3906K

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT3906 MMBT3906K MMBT3906LT1G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT3906  单晶体管 双极, 通用, PNP, -40 V, 250 MHz, 350 mW, -200 mA, 300 hFEPNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon TransistorON SEMICONDUCTOR  MMBT3906LT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -40 V, 250 MHz, 225 mW, -200 mA, 300 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 250 MHz - 250 MHz

额定电压(DC) -40.0 V -40.0 V -40.0 V

额定电流 -200 mA -200 mA -200 mA

针脚数 3 - 3

极性 PNP, P-Channel PNP PNP

耗散功率 350 mW 350 mW 225 mW

增益频宽积 250 MHz 250 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) 300 300 -

额定功率(Max) 350 mW 350 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) 300 30 300

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW - 300 mW

集电极最大允许电流 - 0.2A 0.2A

额定功率 - - 300 mW

长度 2.92 mm 2.9 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 0.93 mm 0.93 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

HTS代码 8541210075 - -

香港进出口证 NLR - NLR

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