功率晶体管PNP硅 POWER TRANSISTORS PNP SILICON
- 双极 BJT - 单 PNP 375 V 1 A 10MHz 40 W 通孔 TO-220AB
得捷:
TRANS PNP 375V 1A TO220
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 1A 375V 40W PNP
艾睿:
Trans GP BJT PNP 375V 1A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
额定电压DC -375 V
额定电流 -1.00 A
极性 PNP
耗散功率 40 W
增益频宽积 10 MHz
击穿电压集电极-发射极 375 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 30
最大电流放大倍数hFE 150
额定功率Max 40 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10.28 mm
宽度 4.82 mm
高度 9.28 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
最小包装 50
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJE5731A ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJE5731AG 安森美 | 类似代替 | MJE5731A和MJE5731AG的区别 |