对比图
描述 功率晶体管PNP硅 POWER TRANSISTORS PNP SILICONON SEMICONDUCTOR MJE5731AG 单晶体管 双极, PNP, 375 V, 10 MHz, 2 W, 1 A, 10 hFE
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
频率 - 10 MHz
额定电压(DC) -375 V -375 V
额定电流 -1.00 A -1.00 A
针脚数 - 3
极性 PNP PNP, P-Channel
耗散功率 40 W 2 W
击穿电压(集电极-发射极) 375 V 375 V
集电极最大允许电流 1A 1A
最小电流放大倍数(hFE) 30 30 @300mA, 10V
额定功率(Max) 40 W 40 W
直流电流增益(hFE) - 10
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 40000 mW
增益频宽积 10 MHz -
最大电流放大倍数(hFE) 150 -
宽度 4.82 mm 4.83 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.28 mm -
高度 9.28 mm -
材质 - Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tube Tube
最小包装 50 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
ECCN代码 EAR99 EAR99