MJW21195

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MJW21195概述

硅功率晶体管 Silicon Power Transistors

PNP

MJW21196 NPN

The MJW21195 and MJW21196 utilize Perforated Emitter technology and are specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications.

Features

•Total Harmonic Distortion Characterized

•High DC Current Gain −hFE= 20 Min @ IC= 8 Adc

•Excellent Gain Linearity

•High SOA: 2.25 A, 80 V, 1 Second

•Pb−Free Packages are Available
.
MJW21195中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -250 V

额定电流 -16.0 A

极性 PNP

耗散功率 200 W

击穿电压集电极-发射极 250 V

集电极最大允许电流 16A

最小电流放大倍数hFE 20 @8A, 5V

额定功率Max 200 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.08 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJW21195
型号: MJW21195
描述:硅功率晶体管 Silicon Power Transistors
替代型号MJW21195
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJW21195

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MJW21195G

安森美

完全替代

MJW21195和MJW21195G的区别

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