对比图
描述 硅功率晶体管 Silicon Power TransistorsON SEMICONDUCTOR MJW21195G 单晶体管 双极, 音频, PNP, -250 V, 4 MHz, 200 W, -16 A, 20 hFE
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-247-3 TO-247-3
引脚数 - 3
额定电压(DC) -250 V -250 V
额定电流 -16.0 A -16.0 A
极性 PNP PNP
耗散功率 200 W 200 W
击穿电压(集电极-发射极) 250 V 250 V
集电极最大允许电流 16A 16A
最小电流放大倍数(hFE) 20 @8A, 5V 20 @8A, 5V
额定功率(Max) 200 W 200 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
频率 - 4 MHz
针脚数 - 3
最大电流放大倍数(hFE) - 80
直流电流增益(hFE) - 20
耗散功率(Max) - 200000 mW
长度 16.26 mm 16.26 mm
宽度 5.3 mm 5.3 mm
高度 21.08 mm 21.08 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃
材质 - Silicon
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99