高压晶体管（ PNP硅） High Voltage TransistorsPNP Silicon
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -300V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −300V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 50MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 40 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| High Voltage Transistors PNP Silicon Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 描述与应用| 高电压PNP硅 特点 •这些器件是无铅，无卤/ 无BFR，并符合RoHS标准
额定电压DC -300 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
耗散功率 225 mW
增益频宽积 600 MHz
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.05A
最小电流放大倍数hFE 25 @30mA, 10V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBTA92LT3 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBTA92LT3G 安森美 | 类似代替 | MMBTA92LT3和MMBTA92LT3G的区别 |