MJ11030

MJ11030图片1
MJ11030图片2
MJ11030图片3
MJ11030图片4
MJ11030概述

高电流互补硅功率晶体管 High−Current Complementary Silicon Power Transistors

50 AMPERE COMPLEMENTARY DARLINGTON POWER TRANSISTORS 60 − 120 VOLTS 300 WATTS

High−Current Complementary Silicon Power Transistors are for use

as output devices in complementary general purpose amplifier

applications.

Features

•High DC Current Gain − hFE= 1000 Min @ IC= 25 Adc

                                 hFE= 400 Min @ IC= 50 Adc

•Curves to 100 A Pulsed

•Diode Protection to Rated IC

•Monolithic Construction with Built−In Base−Emitter Shunt Resistor

•Junction Temperature to +200C

•Pb−Free Packages are Available
.
MJ11030中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 90.0 V

额定电流 50.0 A

耗散功率 300000 mW

击穿电压集电极-发射极 90 V

最小电流放大倍数hFE 1000 @25A, 5V

额定功率Max 300 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJ11030
型号: MJ11030
描述:高电流互补硅功率晶体管 High−Current Complementary Silicon Power Transistors
替代型号MJ11030
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJ11030

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MJ11032G

安森美

功能相似

MJ11030和MJ11032G的区别

MJ11028G

安森美

功能相似

MJ11030和MJ11028G的区别

NTE2349

NTE Electronics

功能相似

MJ11030和NTE2349的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台