对比图
描述 高电流互补硅功率晶体管 High−Current Complementary Silicon Power TransistorsNTE ELECTRONICS NTE2349 达林顿晶体管, NPN, 120V, TO-3ON SEMICONDUCTOR MJ11028G 达林顿双极晶体管
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) NTE Electronics ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 2 2
封装 TO-3 TO-3 TO-204-2
额定电压(DC) 90.0 V 120 V 50.0 V
额定电流 50.0 A 50.0 A 50.0 A
针脚数 - 2 2
极性 - NPN NPN
耗散功率 300000 mW 300 W 300 W
击穿电压(集电极-发射极) 90 V 120V (min) 60 V
集电极最大允许电流 - 50A 50A
最小电流放大倍数(hFE) 1000 @25A, 5V - 1000 @25A, 5V
最大电流放大倍数(hFE) - - 18000
额定功率(Max) 300 W - 300 W
直流电流增益(hFE) - 1000 18
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300000 mW 300000 mW 300000 mW
宽度 - - 26.67 mm
封装 TO-3 TO-3 TO-204-2
工作温度 -55℃ ~ 200℃ (TJ) - -55℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tray - Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead - Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
HTS代码 - 85412900951 -