MMUN2131LT1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

MMUN2131LT1图片1

MMUN2131LT1中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 400 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MMUN2131LT1

型号： MMUN2131LT1

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：PNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

替代型号MMUN2131LT1

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

MMUN2131LT1

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MMUN2131LT1G

安森美

类似代替

MMUN2131LT1和MMUN2131LT1G的区别