对比图
描述 PNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR数字晶体管（ BRT ） R1 = 2.2千欧， R2 = 2.2 K· Digital Transistors (BRT) R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3
极性 PNP PNP
耗散功率 400 mW 246 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 400 mW 400 mW
额定电压(DC) - -50.0 V
额定电流 - -100 mA
无卤素状态 - Halogen Free
最小电流放大倍数(hFE) - 8 @5mA, 10V
最大电流放大倍数(hFE) - 8
额定功率(Max) - 246 mW
高度 0.94 mm 0.94 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3
长度 - 2.9 mm
宽度 - 1.3 mm
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 150℃
ECCN代码 - EAR99