MPS918G概述
放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon
- 双极 BJT - 单 NPN 15 V 50 mA 600MHz 350 mW 通孔 TO-92（TO-226）
得捷:
TRANS NPN 15V 0.05A TO92
艾睿:
Trans RF BJT NPN 15V 0.05A 350mW 3-Pin TO-92 Box
MPS918G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 15.0 V
额定电流 50.0 mA
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
输入电容 2pF Max
击穿电压集电极-发射极 15 V
最小电流放大倍数hFE 20 @8mA, 10V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Box
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买MPS918G
替代型号MPS918G
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MPS918G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT918LT1G 安森美 | 类似代替 | MPS918G和MMBT918LT1G的区别 |