对比图
型号 MMBT918LT1G MPS918G MMBT918
描述 ON SEMICONDUCTOR MMBT918LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, 20 hFE放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN SiliconNPN 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 TO-226-3 SOT-23-3
频率 600 MHz - 600 MHz
额定电压(DC) 15.0 V 15.0 V 15.0 V
额定电流 50.0 mA 50.0 mA 50.0 mA
极性 NPN N-Channel NPN
耗散功率 225 mW 350 mW 225 mW
击穿电压(集电极-发射极) 15 V 15 V 15 V
增益 11 dB - 15 dB
最小电流放大倍数(hFE) 20 @3mA, 1V 20 @8mA, 10V 20 @3mA, 1V
额定功率(Max) 225 mW 350 mW 225 mW
直流电流增益(hFE) 20 - 20
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300 mW 350 mW 225 mW
输入电容 2pF (Max) 2pF (Max) -
针脚数 3 - -
增益频宽积 600 MHz - -
长度 3.04 mm - 2.9 mm
宽度 1.4 mm - 1.3 mm
高度 1.01 mm 5.33 mm 0.93 mm
封装 SOT-23-3 TO-226-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
材质 Silicon Silicon -
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Box Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2016/06/20 - 2015/06/15
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99