MTW8N60E参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

MTW8N60E图片1

MTW8N60E中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 8A

上升时间 37.6 ns

输入电容Ciss 2480pF @25VVds

下降时间 48 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 180000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247

外形尺寸

封装 TO-247

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买MTW8N60E

型号： MTW8N60E

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：TO-247 N-CH 600V 8A

替代型号MTW8N60E

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MTW8N60E ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
2SK3355-AZ 瑞萨电子	功能相似	MTW8N60E和2SK3355-AZ的区别
IRFPC60PBF Vishay Siliconix	功能相似	MTW8N60E和IRFPC60PBF的区别
IRFPC60LC Vishay Siliconix	功能相似	MTW8N60E和IRFPC60LC的区别