IRFPC60LC和MTW8N60E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFPC60LC MTW8N60E IRFPC60LCPBF

描述 MOSFET N-CH 600V 16A TO-247ACTO-247 N-CH 600V 8AMOSFET N-CH 600V 16A TO-247AC

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix ON Semiconductor (安森美) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 TO-247-3 TO-247 TO-247-3

极性 - N-CH -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) - 8A -

上升时间 - 37.6 ns -

输入电容(Ciss) 3500pF @25V(Vds) 2480pF @25V(Vds) 3500pF @25V(Vds)

下降时间 - 48 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 280W (Tc) 180000 mW 280W (Tc)

耗散功率 280W (Tc) - 280W (Tc)

额定功率(Max) - - 280 W

封装 TO-247-3 TO-247 TO-247-3

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 - Rail Tube

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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