MR0A08BMA35R参数规格_中文资料_数据手册PDF

MR0A08BMA35R概述

Memory Circuit, 128KX8, PBGA48, 8 X 8MM, 0.75MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-48

MRAM Magnetoresistive RAM Memory IC 1Mb 128K x 8 Parallel 35ns 48-FBGA 8x8

得捷:
IC RAM 1MBIT PARALLEL 48FBGA

贸泽:
NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM

艾睿:
NVRAM MRAM Parallel 1M-Bit 3.3V 48-Pin FBGA T/R

MR0A08BMA35R中文资料参数规格

技术参数

存取时间 35 ns

存取时间Max 35 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 BGA-48

外形尺寸

封装 BGA-48

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买MR0A08BMA35R

型号： MR0A08BMA35R

制造商： Everspin Technologies

描述：Memory Circuit, 128KX8, PBGA48, 8 X 8MM, 0.75MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-48

替代型号MR0A08BMA35R

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MR0A08BMA35R Everspin Technologies	当前型号	当前型号
MR0A08BMA35 Everspin Technologies	完全替代	MR0A08BMA35R和MR0A08BMA35的区别
MR0A08BYS35 Everspin Technologies	类似代替	MR0A08BMA35R和MR0A08BYS35的区别
MR0A08BCMA35R Everspin Technologies	类似代替	MR0A08BMA35R和MR0A08BCMA35R的区别