ROHM MTZJT-778.2B 单管二极管 齐纳, 8.2 V, 500 mW, DO-34, 2 引脚, 175 °C
- 齐纳 8.2 V 500 mW ±3% 通孔 MSD
得捷:
DIODE ZENER 8.2V 500MW MSD
贸泽:
稳压二极管 8.2V 5MA
e络盟:
ROHM MTZJT-778.2B 单管二极管 齐纳, 8.2 V, 500 mW, DO-34, 2 引脚, 175 °C
安富利:
Diode Zener Single 7.985V 3% 500mW 2-Pin MSD Ammo
额定电压DC 8.20 V
容差 ±3 %
额定功率 500 mW
针脚数 2
耗散功率 500 mW
测试电流 5 mA
稳压值 8.2 V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-34-2
长度 2.7 mm
宽度 1.8 mm
高度 1.8 mm
封装 DO-34-2
工作温度 -65℃ ~ 175℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Each
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MTZJT-778.2B ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
MTZJT-7712B 罗姆半导体 | 功能相似 | MTZJT-778.2B和MTZJT-7712B的区别 |
MTZJT-7715B 罗姆半导体 | 功能相似 | MTZJT-778.2B和MTZJT-7715B的区别 |
MTZJT-7215B 罗姆半导体 | 功能相似 | MTZJT-778.2B和MTZJT-7215B的区别 |