低噪声晶体管 Low Noise Transistors
- 双极 BJT - 单 NPN 50MHz 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）
得捷:
TRANS NPN 25V 50MA SOT23
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 50mA 30V NPN
额定电压DC 25.0 V
额定电流 50.0 mA
极性 NPN
耗散功率 225 mW
增益频宽积 50 MHz
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 0.05A
最小电流放大倍数hFE 400 @100µA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBT5089LT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT5089LT1G 安森美 | 类似代替 | MMBT5089LT1和MMBT5089LT1G的区别 |
MMBT5089 安森美 | 类似代替 | MMBT5089LT1和MMBT5089的区别 |