MMBT5089LT1和MMBT5089LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT5089LT1 MMBT5089LT1G 2SA1020RLRAG

描述 低噪声晶体管 Low Noise TransistorsON SEMICONDUCTOR  MMBT5089LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 50 MHz, 225 mW, 50 mA, 50 hFEON SEMICONDUCTOR  2SA1020RLRAG  单晶体管 双极, PNP, -50 V, 100 MHz, 1.5 W, -2 A, 40 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-226-3

频率 - 50 MHz 100 MHz

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V -50.0 V

额定电流 50.0 mA 50.0 mA -2.00 A

针脚数 - 3 3

极性 NPN NPN PNP

耗散功率 225 mW 225 mW 1.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V 50 V

集电极最大允许电流 0.05A 0.05A 2A

最小电流放大倍数(hFE) 400 @100µA, 5V 400 70 @500mA, 2V

额定功率(Max) 300 mW 300 mW 900 mW

直流电流增益(hFE) - 50 40

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 900 mW

增益频宽积 50 MHz - -

长度 2.9 mm 3.04 mm 5.21 mm

宽度 1.3 mm 2.64 mm 4.19 mm

高度 0.94 mm 1.11 mm 7.87 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-226-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2016/06/20

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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