达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon
Bipolar BJT Transistor
得捷:
TRANS NPN DARL SS 100V TO92
贸泽:
达林顿晶体管 500mA 100V NPN
额定电压DC 100 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MPSA29RLRP ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MPSA29 安森美 | 功能相似 | MPSA29RLRP和MPSA29的区别 |
MPSA29D26Z 飞兆/仙童 | 功能相似 | MPSA29RLRP和MPSA29D26Z的区别 |