MPSA29和MPSA29RLRP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPSA29 MPSA29RLRP

描述 达林顿晶体管( NPN硅) Darlington Transistors(NPN Silicon)达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-226-3 TO-92-3

引脚数 3 -

额定电压(DC) 100 V 100 V

额定电流 500 mA 500 mA

极性 NPN NPN

耗散功率 0.625 W 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V

集电极最大允许电流 - 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 10000 @100mA, 5V 10000 @100mA, 5V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

频率 - -

额定功率 - -

增益带宽 125MHz (Min) -

耗散功率(Max) 625 mW -

针脚数 3 -

直流电流增益(hFE) 10000 -

长度 - 5.2 mm

宽度 - 4.19 mm

高度 - 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-92-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Bulk Cut Tape (CT)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 EAR99 -

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