MMBT6427LT1

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MMBT6427LT1概述

达林顿晶体管( NPN硅) Darlington TransistorNPN Silicon

This NPN Bipolar Darlington Transistor is designed for use in switching applications, such as print hammer, relay, solenoid and lamp drivers. The device is housed in the SOT-23 package, which is designed for lower power surface mount applications.

Features

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Pb-Free Package is Available
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S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
MMBT6427LT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

耗散功率 225 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 20000 @100mA, 5V

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MMBT6427LT1
型号: MMBT6427LT1
描述:达林顿晶体管( NPN硅) Darlington TransistorNPN Silicon
替代型号MMBT6427LT1
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