对比图
型号 MMBT6427LT1 MMBT6427LT1G MMBT6427
描述 达林顿晶体管（ NPN硅） Darlington Transistor(NPN Silicon)ON SEMICONDUCTOR MMBT6427LT1G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 40 V, 300 mW, 500 mA, 200 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT6427 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 40 V, 350 mW, 1.2 A, 10000 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V 40.0 V
额定电流 500 mA 600 mA 1.20 A
无卤素状态 - Halogen Free -
输出电压 - 40 V -
输出电流 - 500 mA -
针脚数 - 3 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 225 mW 300 mW 350 mW
输入电容 - 15 pF -
击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V
热阻 - 556℃/W (RθJA) -
集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -
最小电流放大倍数(hFE) 20000 @100mA, 5V 20000 @100mA, 5V 14000 @500mA, 5V
最大电流放大倍数(hFE) - 100000 -
额定功率(Max) 225 mW 225 mW 350 mW
直流电流增益(hFE) - 200 10000
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 300 mW 350 mW
输入电压 - 12 V -
额定功率 - - 350 mW
长度 2.9 mm 3.04 mm 2.92 mm
宽度 1.3 mm 1.4 mm 1.3 mm
高度 0.94 mm 1.11 mm 0.93 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 EAR99