MMJT9410T1

双极功率晶体管NPN硅集电极 - 发射极耐受电压 - VCEO（SUS）  = 30 VDC（最小）@ IC= 10 MADC•高DC电流增益 - HFE=85（分钟）@ IC= 0.8 ADC=60（分钟）@ IC= 3.0 ADC•低集电极 - 发射极饱和电..

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 45V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 30V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 3A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 72MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 60~85 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 150mV~450mV 耗散功率PcPower Dissipation| Description & Applications| Bipolar Power Transistors NPN Silicon • Collector –Emitter Sustaining Voltage — VCEOsus = 30 Vdc Min @ IC = 10 mAdc • High DC Current Gain — hFE = 85 Min @ IC = 0.8 Adc = 60 Min @ IC = 3.0 Adc • Low Collector –Emitter Saturation Voltage — VCEsat = 0.2 Vdc Max @ IC = 1.2 Adc = 0.45 Vdc Max @ IC = 3.0 Adc • SOT–223 Surface Mount Packaging 描述与应用| 双极功率 NPN硅 集电极 - 发射极耐受电压 - VCEO（SUS）   = 30 VDC（最小）@ IC= 10 MADC •高DC电流增益 - HFE=85（分钟）@ IC= 0.8 ADC =60（分钟）@ IC= 3.0 ADC •低集电极 - 发射极饱和电压 - VCE（sat）的   = 0.2 VDC（最大）@ IC= 1.2 ADC = 0.45 VDC（最大）@ IC= 3.0 ADC •SOT-223表面贴装包装