MJE4353参数规格_中文资料_数据手册PDF

MJE4353概述

高？压？大功率晶体管 High?Voltage High Power Transistors

Bipolar BJT Transistor PNP 160V 16A 1MHz 125W SOT-93

得捷:
TRANS PNP 160V 16A SOT93

MJE4353中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -160 V

额定电流 -16.0 A

耗散功率 125 W

击穿电压集电极-发射极 160 V

最小电流放大倍数hFE 15 @8A, 2V

额定功率Max 125 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-218-3

外形尺寸

封装 TO-218-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJE4353

型号： MJE4353

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：高？压？大功率晶体管 High?Voltage High Power Transistors

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替代型号MJE4353

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MJE4353 ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
MJE4353G 安森美	完全替代	MJE4353和MJE4353G的区别
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