MJF3055

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MJF3055概述

互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

NPN

MJF2955 PNP

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 90 VOLTS, 30 WATTS

Specifically designed for general purpose amplifier and switching applications.

Features

• Isolated Overmold Package 1500 Volts RMS Min

• Electrically Similar to the Popular MJE3055T and MJE2955T

• Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEOsus 90 Volts

• 10 Amperes Rated Collector Current

• No Isolating Washers Required

• Reduced System Cost

• UL Recognized, File #E69369, to 3500 VRMS Isolation

• Epoxy Meets UL 94 V−0 at 0.125 in

• ESD Ratings: Machine Model, C; 400 V

               Human Body Model, 3B; 8000 V

• Pb−Free Packages are Available
.
MJF3055中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 10.0 A

极性 NPN

耗散功率 30 W

击穿电压集电极-发射极 90 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 4V

最大电流放大倍数hFE 100

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.63 mm

宽度 4.9 mm

高度 9.24 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

最小包装 50

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJF3055
型号: MJF3055
描述:互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
替代型号MJF3055
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJF3055

ON Semiconductor 安森美

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MJF3055G

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MJF3055和MJF3055G的区别

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