对比图
描述 互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORSON SEMICONDUCTOR MJF3055G. 双极性晶体管
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
频率 - 2 MHz
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V
额定电流 10.0 A 10.0 A
针脚数 - 3
极性 NPN NPN
耗散功率 30 W 30 W
击穿电压(集电极-发射极) 90 V 90 V
集电极最大允许电流 10A 10A
最小电流放大倍数(hFE) 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V
额定功率(Max) 2 W 2 W
直流电流增益(hFE) - 20
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2000 mW
最大电流放大倍数(hFE) 100 -
封装 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.63 mm -
宽度 4.9 mm -
高度 9.24 mm -
材质 - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tube Tube
最小包装 50 -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2016/06/20
ECCN代码 EAR99 EAR99