MJD253-001参数规格_中文资料_数据手册PDF

MJD253-001概述

IPAK PNP 100V 4A

- 双极 BJT - 单 PNP 100 V 4 A 40MHz 1.4 W 通孔 I-PAK

得捷:
TRANS PNP 100V 4A IPAK

Win Source:
Complementary Silicon Plastic Power Transistors

MJD253-001中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 -4.00 A

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 40 @200mA, 1V

额定功率Max 1.4 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MJD253-001

型号： MJD253-001

描述：IPAK PNP 100V 4A

替代型号MJD253-001

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MJD253-001 ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
MJD253-1G 安森美	完全替代	MJD253-001和MJD253-1G的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

MJD253-001

ON Semiconductor 安森美

当前型号

MJD253-1G

安森美

完全替代