对比图
描述 IPAK PNP 100V 4AON SEMICONDUCTOR MJD253-1G 功率晶体管, PNP, -100V, D-PAK
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-251-3 TO-251-3
引脚数 - 3
额定电压(DC) -100 V -100 V
额定电流 -4.00 A -4.00 A
极性 PNP PNP
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V
集电极最大允许电流 4A 4A
最小电流放大倍数(hFE) 40 @200mA, 1V 40 @200mA, 1V
额定功率(Max) 1.4 W 1.4 W
频率 - 40 MHz
无卤素状态 - Halogen Free
耗散功率 - 12.5 W
最大电流放大倍数(hFE) - 180
直流电流增益(hFE) - 40
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
耗散功率(Max) - 1400 mW
封装 TO-251-3 TO-251-3
长度 - 6.73 mm
宽度 - 6.35 mm
高度 - 2.38 mm
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99