MMBT5401LT3参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMBT5401LT3概述

高压晶体管（ PNP硅） High Voltage TransistorPNP Silicon

Bipolar BJT Transistor PNP 150 V 500 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3 TO-236

得捷:
TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3

MMBT5401LT3中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -150 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 150 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MMBT5401LT3

型号： MMBT5401LT3

描述：高压晶体管（ PNP硅） High Voltage TransistorPNP Silicon

替代型号MMBT5401LT3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MMBT5401LT3 ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
MMBT5401LT3G 安森美	完全替代	MMBT5401LT3和MMBT5401LT3G的区别

型号/品牌

代替类型

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MMBT5401LT3

ON Semiconductor 安森美

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MMBT5401LT3G

安森美

完全替代