对比图
描述 高压晶体管（ PNP硅） High Voltage Transistor(PNP Silicon)ON SEMICONDUCTOR MMBT5401LT3G Bipolar (BJT) Single Transistor, AEC-Q101, PNP, -150 V, 300 MHz, 225 mW, -500 mA, 50 hFE 新
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 - 300 MHz
额定电压(DC) -150 V -150 V
额定电流 -500 mA -500 mA
针脚数 - 3
极性 PNP PNP
耗散功率 - 225 mW
增益频宽积 - 300 MHz
击穿电压(集电极-发射极) 150 V 150 V
集电极最大允许电流 0.5A 0.5A
最小电流放大倍数(hFE) 60 @10mA, 5V 60 @10mA, 5V
额定功率(Max) 300 mW 300 mW
直流电流增益(hFE) - 50
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 300 mW
长度 - 2.9 mm
宽度 - 1.3 mm
高度 - 0.94 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99