MJD6039T4参数规格_中文资料_数据手册PDF

MJD6039T4概述

达林顿功率晶体管 Darlington Power Transistors

- 双极 BJT - 单 NPN - 达林顿 80 V 4 A - 1.75 W 表面贴装型 DPAK

得捷:
TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK

MJD6039T4中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 4.00 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 500 @2A, 4V

额定功率Max 1.75 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MJD6039T4

型号： MJD6039T4

描述：达林顿功率晶体管 Darlington Power Transistors

替代型号MJD6039T4

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MJD6039T4 ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
MJD6039T4G 安森美	完全替代	MJD6039T4和MJD6039T4G的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

MJD6039T4

ON Semiconductor 安森美

当前型号

MJD6039T4G

安森美

完全替代