MJD6039T4和MJD6039T4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD6039T4 MJD6039T4G

描述 达林顿功率晶体管 Darlington Power Transistors达林顿功率晶体管 Darlington Power Transistors

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V

额定电流 4.00 A 4.00 A

无卤素状态 - Halogen Free

针脚数 - 3

极性 NPN NPN

耗散功率 - 20 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V

集电极最大允许电流 4A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 500 @2A, 4V 500 @2A, 4V

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W

直流电流增益(hFE) - 2500

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 1750 mW

长度 - 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm

高度 - 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99

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