门驱动器 175V/2A High-Speed Half-B MOSFET Drvr
半桥 栅极驱动器 IC 反相,非反相 8-SOIC-EP
得捷: IC HALF-BRIDGE MOSFET DVR 8-SOIC
贸泽: 门驱动器 175V/2A High-Speed Half-B MOSFET Drvr
安富利: MOSFET DRVR 2A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC EP
上升/下降时间 65 ns
输出接口数 2
耗散功率 1538.5 mW
上升时间 65 ns
下降时间 65 ns
下降时间Max 65 ns
上升时间Max 65 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1538.5 mW
电源电压 8V ~ 12.6V
电源电压Min 8 V
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册