MT47H64M16HR-25E:H TR

MT47H64M16HR-25E:H TR图片1
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MT47H64M16HR-25E:H TR概述

DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84Pin FBGA T/R

SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb(64M x 16) 并联 84-FBGA(8x12.5)


得捷:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA T/R


Chip1Stop:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA T/R


Verical:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA T/R


DeviceMart:
IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84FBGA


MT47H64M16HR-25E:H TR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 160 mA

位数 16

存取时间Max 0.4 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 84

封装 TFBGA-84

外形尺寸

高度 0.8 mm

封装 TFBGA-84

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

MT47H64M16HR-25E:H TR引脚图与封装图
MT47H64M16HR-25E:H TR引脚图
MT47H64M16HR-25E:H TR封装图
MT47H64M16HR-25E:H TR封装焊盘图
在线购买MT47H64M16HR-25E:H TR
型号: MT47H64M16HR-25E:H TR
制造商: Micron 镁光
描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84Pin FBGA T/R
替代型号MT47H64M16HR-25E:H TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MT47H64M16HR-25E:H TR

Micron 镁光

当前型号

当前型号

MT47H64M16NF-25E:M

镁光

完全替代

MT47H64M16HR-25E:H TR和MT47H64M16NF-25E:M的区别

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