MT47H64M16HR-25E:H TR和MT47H64M16NF-25E:M

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT47H64M16HR-25E:H TR MT47H64M16NF-25E:M

描述 DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84Pin FBGA T/RDDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-84

数据手册 --

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 84 84

封装 TFBGA-84 TFBGA-84

供电电流 160 mA 160 mA

时钟频率 - 400 MHz

位数 16 16

存取时间 - 400 ps

存取时间(Max) 0.4 ns 0.4 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

封装 TFBGA-84 TFBGA-84

高度 0.8 mm -

工作温度 0℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

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