MBD330DWT1

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MBD330DWT1概述

MBD330DWT1 肖特基二极管 30V 450mV/0.45V SOT-363/SC70-6 marking/标记 T4

反向电压VrReverse Voltage| 30V \---|--- 平均整流电流IoAVerage Rectified Current| 最大正向压降VFForward VoltageVf | 450mV/0.45V 最大耗散功率PdPower dissipation| 120MW/0.12W Description & Applications| • Extremely Low Minority Carrier Lifetime • Very Low Capacitance • Low Reverse Leakage • Two independent Schottky diode side by side in different directions in the SOT-363 描述与应用| •极低的少数载流子寿命 •非常低的电容 •低反向漏 •两个独立的肖特基按不同的方向并排在SOT-363

MBD330DWT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 1.00 A

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 120 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MBD330DWT1
型号: MBD330DWT1
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:MBD330DWT1 肖特基二极管 30V 450mV/0.45V SOT-363/SC70-6 marking/标记 T4
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