MBD110DWT1G和MBD330DWT1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MBD110DWT1G MBD330DWT1 MBD330DWT1G

描述 双肖特基势垒二极管 Dual Schottky Barrier DiodesMBD330DWT1 肖特基二极管 30V 450mV/0.45V SOT-363/SC70-6 marking/标记 T4ON SEMICONDUCTOR  MBD330DWT1G  小信号二极管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 RF二极管RF二极管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6 6

封装 TSSOP-6 SOT-363-6 SC-70-6

额定电压(DC) 7.00 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 90.0 mA 1.00 A 1.00 A

无卤素状态 - - Halogen Free

针脚数 - - 6

正向电压 - - 0.38 V

耗散功率 120 mW - 120 mW

正向电流 - - 10 mA

正向电压(Max) - - 450 mV

正向电流(Max) - - 200 mA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 120 mW 120 mW 120 mW

长度 2 mm 2 mm 2.2 mm

宽度 1.25 mm 1.25 mm 1.35 mm

高度 0.9 mm 0.9 mm 1 mm

封装 TSSOP-6 SOT-363-6 SC-70-6

工作温度 -55℃ ~ 125℃ (TJ) -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台