MRF314参数规格_中文资料_数据手册PDF

MRF314概述

射频线NPN硅功率晶体管30W ， 30-200MHz ， 28V The RF Line NPN Silicon Power Transistor 30W, 30-200MHz, 28V

RF Transistor NPN 35V 3.4A 30W Chassis Mount 211-07, Style 1

得捷:
RF TRANS NPN 35V 211-07

贸泽:
射频RF双极晶体管 30-200MHz 30Watts 28Volt Gain 10dB

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 35V 3.4A 4-Pin Case 211-07

Verical:
Trans RF BJT NPN 35V 3.4A 4-Pin Case 211-07

MRF314中文资料参数规格

技术参数

频率 200 MHz

极性 NPN

耗散功率 82 W

输出功率 30.0 W

击穿电压集电极-发射极 35 V

增益 13.5 dB

最小电流放大倍数hFE 20

额定功率Max 30 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 211-07

外形尺寸

封装 211-07

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MRF314

型号： MRF314

制造商： M/A-Com

描述：射频线NPN硅功率晶体管30W ， 30-200MHz ， 28V The RF Line NPN Silicon Power Transistor 30W, 30-200MHz, 28V

替代型号MRF314