PSMN012-80PS

PSMN012-80PS图片1
PSMN012-80PS图片2
PSMN012-80PS图片3
PSMN012-80PS图片4
PSMN012-80PS图片5
PSMN012-80PS图片6
PSMN012-80PS图片7
PSMN012-80PS图片8
PSMN012-80PS图片9
PSMN012-80PS图片10
PSMN012-80PS中文资料参数规格
技术参数

额定功率 148 W

漏源极电阻 0.009 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 148 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 74A

输入电容Ciss 2782pF @12VVds

额定功率Max 148 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 148 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.3 mm

宽度 4.7 mm

高度 16 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PSMN012-80PS
型号: PSMN012-80PS
制造商: NXP 恩智浦
描述:N 通道 MOSFET,10A 至 99A,NXP Semiconductors ### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
替代型号PSMN012-80PS
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PSMN012-80PS

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

STB60NF06LT4

意法半导体

功能相似

PSMN012-80PS和STB60NF06LT4的区别

IRFZ44ZSPBF

英飞凌

功能相似

PSMN012-80PS和IRFZ44ZSPBF的区别

IRF1010NSTRLPBF

英飞凌

功能相似

PSMN012-80PS和IRF1010NSTRLPBF的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台